低功耗、速度最近在线直播免费观看高容量并降低电路板占用空间，提升在这份优势清单当中，承传输AMD公司为其即将推出的诺将内存高带宽内存（简称HBM）架构下足了宣传功夫。

AMD公司此前已经在一份白皮书中对HBM的速度细节情况作出了一番粗略说明，目前这套架构即将开始在部分Radeon 300系列显卡当中出现，提升同时也将作为AMD公司尚正处于规划当中的承传输最近在线直播免费观看高性能计算集群化发展战略的组成部分。

除了功耗降低之外，诺将内存新机制也将减少自身在垂直堆栈当中的速度占用空间：这套方案将利用硅通孔实现晶粒与晶粒间的连通，而微焊点则负责实现硅通孔间的提升物理隔离。

各硅通孔贯通整块芯片并达至逻辑晶粒，承传输最终通过中介层接入封装基板。诺将内存该中介层的速度作用是实现面向CPU或者GPU的快速连接，AMD公司宣称其性能表现“与芯片集成内存几乎没有区别”。

Hothardware网站预计，采用更宽总线——1024位，远大于GDDR5芯片上可怜的32位，意味着HBM将能够实现每秒100 GB的惊人传输能力，这一数字令GDDR5的每秒28 GB传输水平看起来如同笑话。

与此同时，这样的性能表现只需更低时钟速率即可实现，在HBM上需500 MHz，而在GDDR5上则需要1.75 GHz，再配合上1.3伏工作电压（GDDR5为1.5伏）意味着新规范能够实现50%的功耗缩减，且一举将每瓦带宽提升至过去的三倍（HBM为每瓦每秒35 GB，GDDR5则为每瓦每秒10.66 GB）。

AMD公司表示，更小物理尺寸在功耗节约与性能提升方面带来的另一大优势在于，HBM内存将能够与CPU/GPU一样被集成在同一基板之上。

HMB能够像处理器那样将内存旋转在同一基板之上

Hothardware网站认为，采用这一技术的首款样品将于今年六月随AMD的下一代GPU一同亮相。